Компания Samsung Electronics создала первые образцы флэш-памяти объемом 64 Гбит на основе нового технологического процесса с нормами 30 нм. Разработанная компанией технология self-aligned double patterning technology (SaDPT) позволяет уменьшить размер гейтов полупроводниковых микросхем до 30 нм и менее, в результате чего стоимость производства снижается, а объем микросхем – увеличивается.

На основе новой технологии будет возможен выпуск карточек памяти объемом 128 Гб. Новое оборудование находится пока в процессе разработки, и его полноценное использование начнется не ранее 2010 года.

		Послать другу
		Версия для печати