Компания NEC, один из разработчиков магниторезистивной памяти, сообщила об успешной замене внутренней статической памяти на кристалле СБИС памятью MRAM. Достижение частоты 250 МГц и емкости 1 Мбит позволяют памяти нового типа в целом ряде случаев конкурировать с традиционно применяемой в этой области памяти SRAM.

У MRAM есть много преимуществ – низкое энергопотребление, высокая степень интеграции (одна ячейка включает только 2 транзистора), независимость от питания, неограниченное количество циклов перезаписи, и в перспективе – высокое быстродействие. Применение MRAM в качестве интегрированной памяти позволит существенно снизить энергопотребление микросхем, так как память этого типа можно полностью отключать от питания без риска потерять ее содержимое. Впрочем, речь пока идет о первых экспериментах, а не реальных продуктах.

		Послать другу
		Версия для печати